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J-GLOBAL ID：202002272606083207   整理番号：20A0710478

シリコン上の電子フォトニック集積のための能動3端子トランジスタレーザと受動フォトニック構造のマルチチップ不均一集積アレイ【JST・京大機械翻訳】

Multi-chip heterogeneously integrated array of active three-terminal transistor lasers and passive photonic structures for electronic-photonic integration on silicon

著者 (2件)： Carlson John A. (Univ. of Illinois at Urbana-Champaign (United States)) ,  Dallesasse John M. (Univ. of Illinois at urbana-Champaign (United States))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11285  ページ： 1128506-13  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不均一集積過程の後に,活性フォトニック素子のアレイを,シリコンホストウエハ上への分布として,これらの異なる材料を最初に金属-共晶結合させた後に作製した。不均一材料のパターン形成とそれに続く全てのフォトニックデバイスの形成により,離散的なダイアラインメントまたは配置を必要とせずに,広い面積の微細アラインメントが可能になった。集積プロセスは,CMOS互換性のある拡張可能な方法として設計され,異なるIII-Vエピタキシャル構造と光導波路エピタキシャル構造をもたらし,フォトニック材料のマルチチップ層を形成する能力を実証した。集積GaAs系垂直発光トランジスタ(LET)を設計し,第三の電気端子がシリコンホストウエハに電気的相互接続と熱散逸経路を提供する能動素子として作製した。電気トランジスタと自然放出光学素子の両方としてのこれらの素子の性能を,シリコン上に集積したときの素子特性の改善を調べるために,それらのモノリシック集積した対応物と比較した。薄膜転写材料の作製法を改良し,最適化し,トランジスタレーザ(TL)作製に拡張した。受動導波構造を設計し,能動素子からの光を結合するためにシミュレーションし,それらの作製方式を提示した。これは,転写材料で同様に行うことができる。集積トランジスタレーザの実証に向けた研究は,電子-フォトニック回路網に向けての進歩を示すことが示されている。三端子フォトニック構造との不均一集積の組合せは,シリコンフォトニクスシステムにおけるフォトニック論理の実装のためのパッケージと信号相互接続制約の両方に対するエレガントな解決策を可能にする。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 自然放出 ,  共晶 ,  光学素子 ,  パターン形成 ,  相互接続 ,  光導波路 ,  薄膜 ,  互換性 ,  最適化 ,  ヒ化ガリウム ,  *ケイ素 ,  アラインメント ,  エピタクシー ,  CMOS ,  *トランジスタ

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  電子 ,  集積 ,  トランジスタレーザ ,  フォトニック構造 ,  マルチ ,  不均一 ,  アレイ