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J-GLOBAL ID：202002272621283427   整理番号：20A0787798

窒素環境アニールプロセスによるMOCVD成長GdN薄膜の構造,電気,光学および熱電特性の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of structural, electrical, optical and thermoelectric properties of MOCVD grown GdN thin films by nitrogen environment annealing process

著者 (6件)： Mahmood K. (Department of Physics, Government College University Faisalabad, Pakistan) ,  Jacob Jolly (College of Arts and Science, Abu Dhabi University, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Ibrahim M. (Department of Physics, Government College University Faisalabad, Pakistan) ,  Ail A. (Department of Physics, Government College University Faisalabad, Pakistan) ,  Amin N. (Department of Physics, Government College University Faisalabad, Pakistan) ,  Ikram S. (Department of Physics, Government College University Faisalabad, Pakistan)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 206  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MOCVD成長したGdN薄膜の構造的,光学的,電気的および熱電的性質に及ぼす窒素アニーリングの効果を実証した。成長後,代表的試料を片に切断し,300~500°Cの範囲の種々の温度で窒素雰囲気中でアニールした。XRDデータは,C軸に沿って優先配向したGdNの六方晶構造の形成を検証した。また,(200)面の結晶サイズと強度は,アニーリング温度が上昇すると増加することが観察された。この挙動は,窒素空格子点がアニーリング中に入る窒素原子によって補償されるので,結晶構造が改善されることを示している。Raman分光法とUV/Vis分光法データはまた,結晶構造が窒素環境でのアニーリングにより著しく改善されたXRDデータを強化した。Hallデータは,試料のキャリア濃度が,窒素空孔関連ドナー欠陥の減少によりアニーリングにより減少することを示した。室温SeebeckデータはSeebeck係数と力率の値がアニーリング温度と共に減少することを示した。Seebeck係数の減少は,試料の伝導率がアニーリング温度と共に減少することが分かったので理解できない。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  *MOCVD ,  焼なまし ,  Raman分光法 ,  ドナー ,  力率 ,  キャリア密度 ,  六方晶系 ,  *窒素 ,  優先配向 ,  結晶構造
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  アニーリング温度 ,  窒素雰囲気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GDN ,  MOCVD ,  窒素アニーリング ,  XRD ,  Raman分光法 ,  SEebeck効果

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 窒素 ,  環境 ,  アニールプロセス ,  MOCVD ,  成長 ,  薄膜 ,  光学 ,  熱電特性 ,  変調