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J-GLOBAL ID：202002272786822560   整理番号：20A1002892

小および大RF信号下の金ドープシリコン基板の挙動【JST・京大機械翻訳】

Behavior of gold-doped silicon substrate under small- and large-RF signal

著者 (5件)： Nabet Massinissa (ICTEAM, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium) ,  Rack Martin (ICTEAM, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium) ,  Hashim Nur Zatil Ismah (Universiti Sains Malaysia, 14300 Nibong Tebal, Malaysia) ,  de Groot C.H. (Kees) (School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, UK) ,  Raskin Jean-Pierre (ICTEAM, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 168  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高抵抗率,トラップリッチおよび金ドープシリコンウエハ上に集積した受動素子の小型および大信号性能を示し,測定およびシミュレーションにより比較した。金をドープしたシリコン基板を,公称抵抗率56Ωcmの標準シリコンから出発して作製した。金ドープ基板はRF応用に適した高い実効抵抗率と低損失を示すことを示した。これを,トラップに富む基板と比較して,小信号測定に対して類似の性能を観測した,共平面導波路,クロストーク,インダクタおよび帯域通過フィルタを測定することにより実証した。金ドープ基板の大信号測定は,高抵抗率基板よりも60dBm低い高調波歪を示し,0V DCバイアスで10dB低い。しかし,金ドープ基板により誘起された高調波歪への大きなDCバイアス依存性が観測された。この予想外の挙動を,異なるDCバイアス条件に対するシリコンバンドギャップにおけるFermi準位局在化を用いて説明した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *金 ,  *ケイ素 ,  帯域フィルタ ,  Fermi準位 ,  *ドーピング ,  高調波歪 ,  バイアス ,  バンドギャップ ,  コプレーナ導波路 ,  クロストーク
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  受動素子 ,  *RF信号 ,  局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 金ドープシリコン基板 ,  SOI(SOI)技術 ,  有効抵抗率 ,  基板モデリング ,  RF基板 ,  高調波歪(HD) ,  トラップリッチ(TR)高抵抗(HR)シリコン

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF信号 ,  金 ,  ドープ ,  シリコン基板 ,  挙動