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J-GLOBAL ID:202002272821918836   整理番号:20A1584983

重イオン実験データに基づいて,ナノ強化静的ランダムメモリの陽子単一粒子効果感度を予測した。【JST・京大機械翻訳】

Prediction of proton single event upset sensitivity based on heavy ion test data in nanometer hardened static random access memory
著者 (4件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 334-342  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ナノDICE(dualinterlockedcell)補強装置の抗陽子単粒子能力の正確な評価を実現する。65nmダブルDICE強化静的ランダムメモリ(staticrandomaccessmemory,SRAM)重イオン単粒子回転試験データを分析した。重イオンの垂直と斜め入射時の単一粒子反転(singleeventupset,SEU)閾値及びイオン入射の最も悪い方位角を得た。モンテカルロシミュレーションにより,異なるエネルギー陽子と多層金属配線層の間の核反応による二次粒子LET(linearenergytransfer)の最大値および角度分布特性を得た。陽子単一粒子効果の感度を,異なるエネルギーで予測し,そして,陽子単一粒子効果実験の結果は,予測方法の有効性および予測結果の精度を,検証した。重イオンと陽子単一粒子効果試験評価において,DICE強化装置に対して,イオンの最も劣った方位角での傾斜角入射試験を提案した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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その他の粒子による反応・散乱 

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