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J-GLOBAL ID：202002272823377686   整理番号：20A2623359

PureBバイポーラ接合トランジスタのためのプロセシングシーケンス【JST・京大機械翻訳】

Processing sequence for a PureB bipolar junction transistor

著者 (5件)： Causevic A. (University of Stuttgart Pfaffenwaldring 47,Institute of Semiconductor Engineering (IHT),Stuttgart,Germany,70569) ,  Funk H. S. (University of Stuttgart Pfaffenwaldring 47,Institute of Semiconductor Engineering (IHT),Stuttgart,Germany,70569) ,  Schwarz D. (University of Stuttgart Pfaffenwaldring 47,Institute of Semiconductor Engineering (IHT),Stuttgart,Germany,70569) ,  Guguieva K. (University of Stuttgart Pfaffenwaldring 47,Institute of Semiconductor Engineering (IHT),Stuttgart,Germany,70569) ,  Schulze J. (University of Stuttgart Pfaffenwaldring 47,Institute of Semiconductor Engineering (IHT),Stuttgart,Germany,70569)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MIPRO  ページ： 13-16  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前に,シリコン(Si)上への純ホウ素(PureB)の堆積は,ほぼ理想的なpn接合を形成することを示したので,次のステップは,Siから作製された高速pnpバイポーラ接合トランジスタ(BJT)に向けてこの技術を利用することである。ここでは,Emitterを純Bから作成した。純粋B層は極度に薄く,ほとんど欠陥の無いpn接合,低いオフ電流および低い直列抵抗を特徴とし,従来のBJTよりも良い特性を達成するのを可能にした。しかし,純Bは非常に反応性がなく,エッチングが困難であり,エッチング後の下地半導体の高い粗さをもたらす。これは,BJTのような3端子デバイスを構築することが困難であった。本研究では,二酸化ケイ素(SiO_2)と酸化アルミニウム(Al_2O_3)の二重層ハードマスクを用いた新しいプロセススキームを提示し,純Bの微分エピタクシーを可能にした。基板上にSiO_2とAl_2O_3の層スタックを堆積し,構造化し,Al_2O_3をエッチング停止として使用するために再結晶化した。純粋BをSiO_2窓に異なる指数エピタキシーによってその後堆積した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  エッチング ,  エピタクシー ,  再結晶 ,  電流 ,  半導体 ,  ケイ素 ,  酸化アルミニウム ,  二酸化ケイ素 ,  微分 ,  *バイポーラトランジスタ ,  集積層
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  二重層 ,  ハードマスク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (1件)： バイポーラ接合トランジスタ