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J-GLOBAL ID：202002272939444867   整理番号：20A0910360

FEOL Siリング発振器回路によるカーボンナノチューブネットワークのBEOL電力ゲートトランジスタのモノリシック不均一集積【JST・京大機械翻訳】

Monolithic Heterogeneous Integration of BEOL Power Gating Transistors of Carbon Nanotube Networks with FEOL Si Ring Oscillator Circuits

著者 (11件)： Cheng Chao-Ching (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Li Lain-Jong (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Wong H.-S. Philip (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Lu Chun-Chieh (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Chao Tsu-Ang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Chou Ang-Sheng (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Chiang Hung-Li (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Chen Tzu-Chiang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Corporate Research,Hsinchu,Taiwan) ,  Gao Tianqi (Chinese Academy of Science,Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nanotech and Nanobionics,Suzhou,China) ,  Zhao Jianwen (Chinese Academy of Science,Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nanotech and Nanobionics,Suzhou,China) ,  Cui Zheng (Chinese Academy of Science,Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nanotech and Nanobionics,Suzhou,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IEDM  ページ： 19.2.1-19.2.4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能カーボンナノチューブ(CNT)ネットワークトランジスタはオン抵抗(R_on)が<;250Ωを,28nmプロセス技術を用いて製造したSi CMOSウエハ上へのバックエンド(BEOL)パワーゲーティングデバイスとして成功裏に集積した。電力供給がBEOL CNTネットワークヘッダーアレイを通して接続されるとき,フロントエンドライン(FEOL)Siリング発振器(ROs)は,同様の静止電流(I_DDQ)を達成し,電力ゲーティングCNTトランジスタなしの動作と比較して,同じ動作周波数の下で同等の有効電力(P_ACTIVE)消費を持つ。BEOLにおけるCNTデバイスの作製は,基礎となるFEOL Si CMOSデバイスにおける性能劣化を引き起こさないことを検証した。本研究は,低いBEOL適合温度(250°C)で作製されたBEOLにおける低コストで高移動度のCNTトランジスタによる高度Si論理回路の不均一集積を実証することに成功した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *トランジスタ ,  *電力 ,  *ネットワーク ,  *ケイ素 ,  論理回路 ,  有効電力 ,  *リング発振器 ,  *カーボンナノチューブ ,  オン抵抗 ,  CMOS
準シソーラス用語： *BEOL ,  パワーゲーティング ,  高移動度 ,  動作周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： FEOL ,  Si ,  リング発振器 ,  カーボンナノチューブ ,  BEOL ,  ゲート ,  トランジスタ ,  不均一 ,  集積