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J-GLOBAL ID:202002272956549883   整理番号:20A2645255

GaAs光アノードのための効率的な正孔抽出および保護層としての階層的3D TiO_2/Niナノ構造【JST・京大機械翻訳】

A Hierarchical 3D TiO2/Ni Nanostructure as an Efficient Hole-Extraction and Protection Layer for GaAs Photoanodes
著者 (17件):
資料名:
巻: 13  号: 22  ページ: 6028-6036  発行年: 2020年 
JST資料番号: A1411A  ISSN: 1864-5631  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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光電気化学(PEC)水分解は水素燃料の有望なクリーン経路である。最良の性能材料(III/V半導体)は,腐食に責任があり,水分解を促進する表面共触媒であるために,表面不動態化を必要とする。現在,光電極と酸素発生触媒を組み合わせた最適設計は,重要な材料課題である。ここでは,TiO_2薄膜上のニッケル被覆非晶質三次元(3D)TiO_2コア-シェルナノロッドが,効率的な正孔抽出層として機能し,GaAs光アノードの保護層として機能することを示した。過渡吸収分光法(TAS)は,GaAsにおける光生成電荷寿命の延長におけるニッケル被覆(3D)TiO_2コア-シェルナノロッドの役割を示し,より高い触媒活性をもたらした。この戦略は,PEC水分解デバイスのための狭バンドギャップ半導体光アノードを装飾するためのこの低コスト(3D)ナノ構造触媒を利用する可能性を開く。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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塩基,金属酸化物  ,  光化学反応 

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