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J-GLOBAL ID：202002273039076824   整理番号：20A2711549

高移動度二次元反強磁性金属[数式:原文を参照]の電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure of the high-mobility two-dimensional antiferromagnetic metal [Formula : see text]

著者 (19件)： Liu J. S. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Liu J. S. (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Huan S. C. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Liu Z. H. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Liu Z. H. (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Liu W. L. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Liu Z. T. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Lu X. L. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Huang Z. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Jiang Z. C. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Wang X. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Wang X. (Analytical Instrumentation Center, School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Yu N. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Yu N. (Analytical Instrumentation Center, School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Zou Z. Q. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Zou Z. Q. (Analytical Instrumentation Center, School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Guo Y. F. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Shen D. W. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Shen D. W. (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 11  ページ： 114005  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規の2次元反強磁性[数式:原文を参照]は,すべての既知の層状磁性材料の中で最高のキャリア移動度を持つので,新しい磁気ねじれおよびスピントロニクスデバイスにおいて大きな可能性を有する。ここでは,高分解能角度分解光電子放出分光法を用いて,そのFermi面トポロジーおよび低位電子バンド構造を調べた。Fermi面は転移温度以下の電荷密度波によって部分的にギャップされる。Fermiエネルギー近くの非常に急峻でほぼ線形のバンド分散は[数式:原文を参照]中の高いキャリア移動度に寄与する。準粒子の散乱速度は広いエネルギー範囲内で結合エネルギーの関数として直線的に増加し,[数式:原文を参照]が非Fermi液体金属であることを示した。本論文の結果は,この層状反強磁性材料の基本的な理解を提供し,これに関する将来の研究を導く。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  キャリア移動度 ,  結合エネルギー ,  準粒子 ,  転移温度 ,  *電子構造 ,  *反強磁性 ,  磁性材料 ,  磁気 ,  Fermi面 ,  *二次元 ,  電荷密度波 ,  ねじり変形 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 非Fermi液体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高移動度 ,  強磁性金属 ,  数式 ,  参照 ,  電子構造