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J-GLOBAL ID：202002273098647418   整理番号：20A1961985

無接合バルクFinFETの性能に及ぼすチャネルドーピングとフィン形状の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Channel Doping and Fin Shapes on Performance of Junctionless Bulk FinFET

著者 (3件)： Biswas Kalyan (MCKV Institute of Engineering,ECE Department,Howrah,WB,India) ,  Sarkar Angsuman (Kalyani Govt. Engg. College,ECE Department,Kalyani,WB,India) ,  Sarkar Arghyadeep (McMaster University,Hamilton,ON,Canada,1280)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI DCS  ページ： 267-270  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン接合なしバルクFinFETの性能に対する2つの異なるフィン断面形状の影響を,異なるチャネルドーピング濃度でのTCADシミュレーションにより調べた。ATLAS 3Dデバイスシミュレータを用いて,異なる性能指数,すなわち,相互コンダクタンス(gm),閾値電圧(Vth),カットオフ周波数(fT)を計算することにより,異なる電気的性能パラメータを評価した。オンオフ電流比(ION/IOFF)の変化のようなディジタル性能パラメータも解析した。この解析に見えると,三角形フィン形チャネルは,異なるチャネルドーピングレベルの変化に関してそれほど敏感ではない。また,より高いドーピングレベルを有する無接合トランジスタの電気特性は,フィン断面形状の変化により敏感であった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  接合 ,  電流 ,  *フィン ,  ケイ素 ,  接合形トランジスタ ,  *ドーピング ,  電気特性 ,  三次元 ,  チャネル ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： *FinFET ,  閾値電圧 ,  TCAD ,  デバイスシミュレータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  FinFET ,  チャネル ,  ドーピング ,  フィン