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J-GLOBAL ID：202002273308275804   整理番号：20A1437417

Al_2O_3/GeO_x/Geゲートスタックのための界面トラップと境界トラップのキャラクタリゼーションとGe p-MOSFETの移動度に及ぼすこれらのトラップの影響【JST・京大機械翻訳】

Interface trap and border trap characterization for Al₂O₃/GeO_x/Ge gate stacks and influence of these traps on mobility of Ge p-MOSFET

著者 (6件)： Wen Wei-Chen (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Nagatomi Yuta (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Akamine Hiroshi (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Yamamoto Keisuke (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Wang Dong (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Nakashima Hiroshi (Global Innovation Center, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 6  ページ： 065119-065119-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_2O_3/GeO_x/p-Geゲートスタックにおける界面トラップ(ITs)と境界トラップ(BTs)を,深準位過渡分光法を用いて特性化した。異なるGeO_x厚さを有するゲートスタックを評価することにより,Al_2O_3中のそれぞれのBT,Al_2O_3/GeO_x界面領域,およびGeO_xを検出した。中間ギャップ近傍のITs(D_it)の密度は,厚いGeO_xを有する金属-オキシド-半導体(MOS)キャパシタにおいて低く,一方,価電子帯近くのD_itは,より薄いGeO_xを有するMOSキャパシタにおいて低かった。Al_2O_3(6~9×1017cm-3)中のBTs(N_bt)の密度はGeO_x(~2×1018cm-3)のそれよりも低く,Al_2O_3/GeO_x界面領域では最も高いN_bt(~1×1019cm-3)が見出された。Al_2O_3/GeO_x/p-Geゲートスタックを有するGe pチャネル金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製し,解析した。Geの価電子帯端近くのITとBTは,高磁場領域におけるGe p-MOSFETの有効移動度に影響することを確認した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *界面 ,  コンデンサ ,  半導体 ,  *ゲルマニウム ,  酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  *MOSFET ,  強磁場 ,  価電子バンド ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： ミッドギャップ ,  *ゲートスタック ,  MOSコンデンサ ,  *界面トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  ゲートスタック ,  界面トラップ ,  境界 ,  トラップ ,  キャラクタリゼーション ,  MOSFET ,  移動度