文献

J-GLOBAL ID：202002273375139451   整理番号：20A0632869

バルクビスマスにおける交換相関汎関数の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of Exchange-Correlation Functional in Bulk Bismuth

著者 (2件)： Jena Soumyasree (NIT Rourkela, Department of Physics & Astronomy Odisha India) ,  Datta Sanjoy (NIT Rourkela, Department of Physics & Astronomy Odisha India)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 978  ページ： 446-453  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビスマス(Bi)の存在は多くの材料,特にトポロジカル絶縁体においてトポロジー的に非自明なバンド構造をもたらす。伝統的にBiは半金属であることが知られているが,最近の実験ではバルクBiが大気圧で0.53mK以下の超伝導体であることが見出されている。超伝導相のこの予想外の実験的証拠の後流におけるバルクBiの電子的性質をより詳しく調べるために,平面波基底関数系を用いた密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算を行い,適切なイオン擬ポテンシャルを用いた。二つの異なるタイプの交換相関(XC)汎関数,すなわちPerdew-Zunger(PZ)とPerdew-Burke-Ernzerhof(PBE)型に対するバンド構造,状態密度およびFermi面を計算した。これらのXC汎関数の各々は,スピン軌道(SO)相互作用の有無で考慮された。各ケースにおける平面波基底関数系とk点に関するエネルギー収束を注意深く調べた後,経路Γ-L-T-Γに沿ってバンド構造を計算した。SO結合なしでは,電子ポケットはほぼL′に近く,正確に「Γ」で,正孔ポケットはPZ型XC汎関数に対しては「T」であり,一方,PBE型電子ポケットの場合は「L」で正確に見出されたが,正孔ポケットはほぼT′に近いことが分かった。SO結合により,PZT型では,電子ポケットは同じ位置に留まるが,正孔ポケットは,Γ点でのみ現れる。最後に,SO結合がPBE型XC機能電子と共に考慮されるとき,正孔はそれぞれL′とT′で見出される。さらに,この場合,著者らはまた,「T」におけるホールの数の増加を観察した。Copyright 2020 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超伝導体 ,  位相幾何学 ,  基底関数系 ,  *汎関数 ,  トポロジカル絶縁体 ,  平面波 ,  *ビスマス ,  正孔 ,  相互作用 ,  密度汎関数法 ,  イオン ,  バンド構造 ,  半金属 ,  状態密度 ,  Fermi面

著者キーワード (6件)： Electron ,  スピン-軌道結合 ,  半金属 ,  バルクビスマス ,  交換相関汎関数 ,  穴ポケット

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  ビスマス ,  相関 ,  汎関数 ,  役割