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J-GLOBAL ID：202002273451791691   整理番号：20A2763531

3Dモノリシック不均一集積により可能となった300mmシリコンウエハ上の窒化ガリウムとシリコントランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Gallium Nitride and Silicon Transistors on 300 mm Silicon Wafers Enabled by 3-D Monolithic Heterogeneous Integration

著者 (8件)： Then Han Wui (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Radosavljevic Marko (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Jun Kimin (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Koirala Pratik (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Krist Brian (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Talukdar Tushar (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Thomas Nicole (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA) ,  Fischer Paul (Intel Corporation, Components Research, Technology Development, Hillsboro, OR, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 12  ページ： 5306-5314  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300mmのGaN金属有機化学蒸着(MOCVD)エピタクシーと300mmの3D層移動によって可能になったSiトランジスタとの産業の最初の300mmのGaNトランジスタ技術と3Dモノリシック不均一集積を示した。300mmのGaN技術はSi(111)基板上の高k誘電体増強モードGaN nMOSトランジスタ技術である。それは,電力増幅器,低雑音増幅器,およびRFスイッチのようなエネルギー効率の良いコンパクトな電力配送とRFフロントエンド部品を実現するための優れた特性と性能指数(FOM)が可能である。GaN nMOSトランジスタは,eモード動作を示した。1)高I_D,max=1.5mA/μm;2)610Ω-μmの低いR_ON(L_G=50nm);3)100pA/μmの低いI_OFF(L_G=180nm)で,これはGaN HEMT上で顕著な改善である;4)優れたRF性能:f_T=190GHz,f_MAX=300GHz,mm波周波数28GHzでの電力付加効率(PAE)=56%(L_G=50nm),5GHzでPAE=77%(L_G=180nm),産業標準GaAsとSi RFトランジスタよりも著しく良い;5)良好なRFスイッチFOM,R_ONC_OFF=110fs;および6)低雑音指数,NF_min=1.36dB(f=28GHz)および0.4dB(f=5GHz),全てSoC互換電圧。さらに,高I_D=1.8mA/μmの空乏モードGaN nMOSトランジスタを含む300mmのSi(111)ウエハ上に集積したGaNトランジスタの革新を実証した。GaN Schottkyゲートトランジスタは28GHzでピークPAE=57%で20dBm(80μm幅)の高い飽和電力を生成した。低漏れコンパクトカスコードとマルチゲートGaNトランジスタ;静電放電(ESD)保護のための超低C_OFFを有するGaN Schottkyダイオード。300mmの3D層移動によってGaNトランジスタの上にモノリシックに積層した層移動Siトランジスタは,高い駆動電流性能:1.0mA/μm(Si nMOS)と0.5mA/μm(Si pMOS)を示した。GaNとSiトランジスタのモノリシック3Dモノリシック積分は,CMOSディジタル信号処理,論理計算,および制御,メモリ,およびアナログ回路で,エネルギー効率の良い,真にコンパクトな電力配信とRFソリューションの完全な統合を可能にする。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  記憶装置 ,  ダイオード ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  電力 ,  *ケイ素 ,  ヒ化ガリウム ,  雑音指数 ,  電力増幅器 ,  *窒化ガリウム ,  *三次元 ,  MOCVD ,  低雑音増幅器 ,  CMOS

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3D ,  不均一 ,  集積 ,  シリコンウエハ ,  窒化ガリウム ,  シリコン ,  トランジスタ