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J-GLOBAL ID:202002273633932283   整理番号:20A0487453

無秩序系における制御可能な遷移のためのオンチップ超均一レーザ【JST・京大機械翻訳】

On-Chip Hyperuniform Lasers for Controllable Transitions in Disordered Systems
著者 (6件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: e1800296  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2334A  ISSN: 1863-8880  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ナノスケールで制御可能な特性を持つ光源の設計はフォトニクスの研究における主要な目標である。ハーネシング障害は,レーザ装置のフットプリントを低減するための多くの機会を開き,従来の構造では観察されない物理的現象と機能性を可能にする。しかし,ランダム性に基づくシステムにおけるコヒーレント光-物質相互作用の制御は,特に従来のレーザと比較して困難である。ここでは,ステルス超均一構造から作られた半導体レーザを用いてこれらの問題を克服する方法を示した。オンチップInGaN超均一レーザを設計し,実験的に実証した。それは,レーザ発振曲線勾配,閾値,および線幅から,超均一性を介して生成されたランダム性と隠れた次数の間の非線形相互作用からの制御可能な過渡領域をもつ新しいタイプの不規則レーザである。理論と実験は,次数の追加がモード競合効果を通してレーザ発振動力学を安定化することを示し,超均一構造の弱い光局在化の間で生じる。レーザの特性は空洞サイズまたは利得材料とは独立で,同じランダム性を持つ異なるランダム試料間の統計的ゆらぎは非常に小さいことを示した。これらの結果は,単一プラットフォームに古典的およびランダムなレーザの利点を組み合わせたオンチップレーザを開いた。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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