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J-GLOBAL ID：202002273663012809   整理番号：20A1008046

ペロブスカイト発光ダイオードの効率を高めるための超薄LiF層を挿入するPEDOT:PSSとペロブスカイト膜の間の界面の修飾【JST・京大機械翻訳】

Modification of interface between PEDOT:PSS and perovskite film inserting an ultrathin LiF layer for enhancing efficiency of perovskite light-emitting diodes

著者 (8件)： Li Zongtao (Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, South China University of Technology, Guangdong, 510640, China) ,  Li Zongtao (Foshan Nationstar Optoelectronics Company Ltd., Foshan, 528000, China) ,  Cao Kai (Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, South China University of Technology, Guangdong, 510640, China) ,  Li Jiasheng (Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, South China University of Technology, Guangdong, 510640, China) ,  Li Jiasheng (Foshan Nationstar Optoelectronics Company Ltd., Foshan, 528000, China) ,  Du Xuewei (Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, South China University of Technology, Guangdong, 510640, China) ,  Tang Yong (Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, South China University of Technology, Guangdong, 510640, China) ,  Yu Binhai (Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, South China University of Technology, Guangdong, 510640, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 81  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PEDOT:PSSは,その高い正孔電流伝導率と仕事関数のために,ペロブスカイト発光ダイオード(PeLED)に広く使われてきた。しかし,PEDOT:PSSにおける不平衡電荷注入と厳しい励起子クエンチングは,PeLEDのEL性能を制限する。本研究では,PEDOT:PSSとMAPbBr_3ペロブスカイト膜の間の界面に極薄LiF層を挿入した容易な界面改質法を紹介した。著者らの結果は,挿入された超薄LiF層がPEDOT:PSS層とペロブスカイト膜の間の効率的な界面不動態化効果に寄与し,導電性PEDOT鎖による励起子消光と界面におけるペロブスカイト膜欠陥密度の両方を著しく抑制することを示した。さらに,平衡電荷注入はLiF層の厚さを調整することによって実現され,正孔電流上の電子電流を優先的に妨げるために,電子ブロッキング層としても役立つ。結果として,2nmのLiF層で最適化された最適化は,LiF層のない元の素子の4.9Vと比較して2.8Vのターンオン電圧を著しく低下させ,最大輝度(10415cd/m2),電流効率(12.1cd/A),外部量子効率(3.5%)を100倍以上増強した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *界面 ,  最適化 ,  仕事関数 ,  消光 ,  正孔 ,  電流 ,  励起子 ,  不動態化 ,  輝度 ,  非平衡状態 ,  キャリア注入 ,  導電性
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  *PEDOT:PSS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ペロブスカイト ,  発光ダイオード ,  PEDOT:PSS PSS ,  界面改質

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： ペロブスカイト ,  発光ダイオード ,  PEDOT ,  PSS ,  界面 ,  修飾