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J-GLOBAL ID：202002273916237945   整理番号：20A0710471

Cバンドにおける光インタコネクタのためのSchottkyダイオードを用いた低電圧12GHzシリコン光電気吸収変調器(EAM)【JST・京大機械翻訳】

Low voltage 12 GHz silicon optical electro-absorption modulator (EAM) using a Schottky diode for optical interconnectors in the C-band

著者 (5件)： Jeong Uiseok (Korea Univ. (Korea, Republic of)) ,  Kim Kwangwoong (Nokia Bell Labs (United States)) ,  Lee Kyungwoon (Institute of Convergence Technology KT (Korea, Republic of)) ,  Kim Jinsik (Dongguk Univ. (Korea, Republic of)) ,  Park Jung Ho (Korea Univ. (Korea, Republic of))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11285  ページ： 112851L-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速度と低電圧で動作するシリコン光電気吸収変調器(EAM)を,Cバンド(1530nm1570nm)のSchottkyダイオードを用いて達成した。光変調は,半導体における自由キャリア吸収による誘導光の強度変化により実証され,従来の干渉効果ではなく,吸収係数を変化させる。提案したEAMは,リブ導波路中心上のSchottky接触による自由キャリア注入と抽出の最大化を助ける横金属-半導体(MS)接合を有する。標準の220nmシリコンオンインシュレータ(SOI)プラットフォーム上の変調器のリブ導波路構造は,単一モード動作に対して80nmのエッチ深さと450nmの幅を有している。リブ導波路の中心は,光がほとんど閉じ込められている1015cm-3インジウムで軽くドープされている。このサイドは中心の光吸収変化に寄与するために1020cm-3のインジウムを多量にドープした。中間領域の空乏幅はバイアスとのSchottky接触により劇的に変化した。この設計は,導波路の中心における光学モードとキャリア密度変化の間の高い重なりを可能にした。高速動作を達成するために,進行波型電極を設計し,導波路に沿った電気的および光学的信号の共伝搬を可能にした。測定結果は,1Vpp駆動電圧をもつコンパクトな25μm変調長に対して,均一な3.9dB変調深さで,40nmの広い動作波長範囲を実証した。進行波型電極は,実験的に3dBの電気光学帯域幅の12GHzで26GHzまで動作する変調器を可能にした。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インジウム ,  導波路 ,  光変調 ,  半導体 ,  *変調器 ,  光学モード ,  吸収係数 ,  進行波 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  キャリア密度 ,  ドーピング ,  キャリア注入 ,  光吸収 ,  単一モード ,  帯域幅

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cバンド ,  インタコネクタ ,  Schottkyダイオード ,  低電圧 ,  シリコン ,  電気吸収変調器 ,  EAM