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J-GLOBAL ID：202002274155598782   整理番号：20A2092799

マイクロアーク酸化により作製したBa_xSr_(1-x)TiO_3薄膜の成長特性【JST・京大機械翻訳】

Growth characteristics of Ba_xSr_(1-x)TiO₃ thin films produced by micro-arc oxidation

著者 (5件)： Wang Min (College of Mechanical Engineering, Guangdong Polytechnic Normal University, Guangzhou 510635, China; and School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, China) ,  Zuo Xi (College of Mechanical Engineering, Guangdong Polytechnic Normal University, Guangzhou 510635, China) ,  Li Kang (School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, China) ,  Wang Kang (College of Mechanical Engineering, DongGuan University of Technology, Dongguan 523808, China) ,  Zhang Guoge (School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, China)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 35  号： 13  ページ： 1703-1714  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)薄膜を,0.6MのBa(OH)_2,0.4MのSr(OH)_2および0.05MのEDTAを添加した水溶液中でマイクロアーク酸化(MAO)を用いてTi基板上に作製した。異なる処理時間で調製したBST膜の形態,組成,電気的性質を特性化し,BST膜のMAO成長特性を論じた。結果は,BST膜の誘電および強誘電特性がMAOスパークパターンに依存する表面形態と正相関することを示した。平滑でコンパクトな膜を得るためには,大きなスパーク段階を避けるべきである。MAOプロセスの間に,基板と電解質溶液からの元素は電場の下で反対方向に移動し,BST膜とTi基板の間の勾配分布を示すBa,Sr,Ti,およびO元素をもたらす。MAOを用いて作製したBST膜は2つの層:外側緩い層と内側緻密層から成る。さらに,放電破壊の位置が連続的に変化するので,膜と基板の間の界面は不均一である。MAO処理時間が増加すると,BST膜厚は増加し,強誘電特性は向上した。処理時間が15分であるとき,BST膜の残留分極強度(2Pr)は約4.9μC/cm2であった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  電場 ,  電解質溶液 ,  *薄膜 ,  放電 ,  加工時間 ,  *チタン ,  誘電性 ,  強誘電性 ,  順相 ,  残留分極 ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  アミノカルボン酸 ,  ジアミン
準シソーラス用語： *マイクロアーク酸化 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： マイクロアーク酸化 ,  チタン酸バリウムストロンチウム ,  成長特性 ,  表面形態 ,  誘電特性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： EDTA

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロアーク酸化 ,  作製 ,  薄膜 ,  成長特性