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J-GLOBAL ID：202002274729670802   整理番号：20A0426646

天然フィラメントの第一原理予測:カルコゲン化物セレクタ素子における可能なフィラメントスイッチング機構のための誘電界面【JST・京大機械翻訳】

First-principles prediction of the native filament:dielectric interfaces for the possible filamentary switching mechanism in chalcogenide selector devices

著者 (2件)： Li Huanglong (Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Chen Wenduo (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 10084, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 4  ページ： 045105-045105-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲナイド選択装置は,高密度クロスポイントメモリ/メムリスタアレイのキーコンポーネントである。しかし,それらの閾値スイッチング機構は不明のままである。一般的に引用された純粋な電子モデルとは別に,フィラメントモデルは最近実験により支持されている。フィラメントスイッチングの文脈において,典型的なセレクタ材料,すなわちGeSeとサイトにおける誘電体界面を調べた。局所結晶化誘起フィラメントと電気化学的に誘起されたフィラメントを考慮した。フィラメント:誘電体接触はGeSeとサイトに対してそれぞれ低n型とp型Schottky障壁を持つことが分かった。フィラメント機構と純粋な電子機構は相乗的である。すなわち,フィラメントからホスト誘電体へのキャリアの熱励起は,ホスト誘電体の電子的および構造的変化を誘発することができ,それは,フィラメントの成長を容易にする可能性がある。本研究では,カルコゲナイド選択装置におけるフィラメント型スイッチングの理解を促進した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  スイッチング ,  *界面 ,  *フィラメント ,  選別器 ,  結晶化 ,  *カルコゲン化物 ,  第一原理 ,  Schottky障壁 ,  電気化学
準シソーラス用語： 熱励起 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： フィラメント ,  第一原理 ,  予測 ,  カルコゲン化物 ,  セレクタ ,  スイッチング ,  界面