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J-GLOBAL ID：202002274795801475   整理番号：20A1018093

AgGaS_2からCuZnPS_4への分子構築:欠陥誘起第二高調波発生増強と共置換駆動バンドギャップ拡大【JST・京大機械翻訳】

Molecular Construction from AgGaS₂ to CuZnPS₄: Defect-Induced Second Harmonic Generation Enhancement and Cosubstitution-Driven Band Gap Enlargement

著者 (15件)： Li Zhuang (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Li Zhuang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Zhang Shengzi (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Zhang Shengzi (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Huang Zhiwei (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, China) ,  Zhao Li-Dong (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, China) ,  Uykur Ece (Physikalisches Institut, Universitaet Stuttgart, Germany) ,  Xing Wenhao (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Xing Wenhao (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Lin Zheshuai (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Lin Zheshuai (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Yao Jiyong (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Yao Jiyong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wu Yicheng (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wu Yicheng (Institute of Functional Crystal Materials, Tianjin University of Technology, P.R. China)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 32  号： 7  ページ： 3288-3296  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,親モデルとして最先端のAgGaS_2を用いることにより,赤外非線形光学(NLO)材料の合理的な設計と合成のための簡単ではあるが重要な事例を提供した。AgGaS_2の構造的利点を継承することに基づいて,成長したままのCuZnPS_4結晶は,より軽いCu/ZnとAgの共置換から利益を得て,鋭く拡大したエネルギーギャップ(3.0eV)を示した。注目すべきことに,CuZnPS_4の価電子分布は,カチオン空孔欠陥をもたらすことによって最適化され,それは,第二高調波発生(SHG)(3×AgGaS_2)を著しく強化し,バンドギャップ拡大の悪影響を補償する。注意深い実験的および理論的研究は,CuZnPS_4が,強いSHG応答,良好な位相整合性,大きなバンドギャップ,高いレーザ損傷閾値,優れた物理化学的安定性,低融点および非毒性組成の間で望ましいバランスをとることを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  最適化 ,  赤外線 ,  非線形光学 ,  *亜鉛 ,  *銀 ,  *銅 ,  カチオン ,  位相整合 ,  価電子 ,  *バンドギャップ ,  *第二高調波発生
準シソーラス用語： 化学的安定性 ,  レーザ損傷閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分子 ,  構築 ,  欠陥 ,  誘起 ,  第二高調波発生 ,  増強 ,  置換 ,  バンドギャップ ,  拡大