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J-GLOBAL ID：202002274812574375   整理番号：20A1575395

オクターブ帯域幅高性能マイクロストリップ対二重リッジ導波路遷移【JST・京大機械翻訳】

Octave Bandwidth High-Performance Microstrip-to-Double-Ridge-Waveguide Transition

著者 (3件)： Montejo-Garai Jose R. (Grupo de Electromagnetismo Aplicado, Information Processing and Telecommunications Center, Universidad Polite ́cnica de Madrid, Madrid, Spain) ,  Marzall Laila (Department of Electrical, Computer and Energy Engineering, University of Colorado, Boulder, CO, USA) ,  Popovic Zoya (Department of Electrical, Computer and Energy Engineering, University of Colorado, Boulder, CO, USA)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 30  号： 7  ページ： 637-640  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターは,6~12GHzのオクターブ帯域幅動作において,高性能のマイクロストリップツー二重リッジ導波路遷移を示した。構造は,はんだ付けなしのマイクロストリップ線路上に直接支持した3カミファーステップ変圧器に基づいている。電気接触は,変圧器の第一段階とマイクロストリップ線路の溝の間の圧力によって保証される。転移は2つの半分によって形成され,製造の複雑さと損失接触を最小化する。逐次手順を設計過程で追跡した。最初に,平面構造を直接供給するポートを考慮して,全体の動作帯域において25dBより良いシミュレーションリターン損失レベルを得た。その後,SubMinitureバージョンA(SMA)同軸コネクタを通して供給し,20dBより良い模擬リターン損失レベルを得た。上記の理論的シミュレーションを検証するために,バックツーバック配列を測定し,2つの類似の遷移を接続した。プロトタイプは,6~12GHzの67%分数帯域幅において,0.8dB以下の単一遷移に対する挿入損失を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  変圧器 ,  はんだ付 ,  *マイクロストリップ線路 ,  挿入損 ,  *リッジ導波管 ,  平面構造 ,  *帯域幅 ,  ポート ,  *周波数帯 ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： *オクターブ ,  電気接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： フィルタ一般  (NC04021I) ,  その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： オクターブ ,  帯域幅 ,  高性能 ,  マイクロストリップ ,  リッジ導波路 ,  遷移