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J-GLOBAL ID：202002275108357781   整理番号：20A2147408

デカナノメータ領域におけるハイブリッドCMOSFETの論理性能の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of Logic Performance of Hybrid CMOSFETs at Deca-Nanometer Regime

著者 (3件)： De Suchismita (Department of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, India) ,  Tewari Suchismita (Department of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, India) ,  Biswas Abhijit (Department of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, India)
資料名： Lecture Notes in Electrical Engineering  (Lecture Notes in Electrical Engineering)
巻： 673  ページ： 459-467  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5070A  ISSN： 1876-1100  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比較解析を行い,ハイブリッドp-Ge/n-Si CMOSFETs,p-Si/n-InGaAs CMOSFET,およびチャネル長60,30,および20nmの従来のSi CMOSデバイスにおけるディジタル回路挙動を研究した。広範な数値調査を用いて,伝搬遅延とともに,雑音マージンが低く,高,上昇および落下時間に関して,異なるインバータ回路の性能を調査した。著者らの研究は,Si nMOSとGe pMOSデバイスから成るハイブリッドCMOSFETが,InGaAs nMOSとSi pMOSデバイスと従来のCMOSFETから成るハイブリッドCMOSETと比較して,雑音マージン高(NM_H),雑音マージン(NM_L),および立ち上がり時間(t_r)に関して最良の性能を発揮することを示した。しかし,n-InGaAs/p-Si CMOSFETは,他の2つのインバータで見出される値に関して,インバータ当たりの落下時間(t_f)と時間遅れ(t_d)の最低値をもたらす。著者らの調査は,両方のハイブリッドCMOSFETのためのすべての時間パラメータが,従来のSi対応物と比較して,減少した値を示し,一方,雑音マージンは,Si CMOSFETの改善を示すことを明らかにする。Copyright The Editor(s) (if applicable) and The Author(s), under exclusive license to Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  ケイ素 ,  雑音余裕 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ディジタル回路 ,  *CMOS
準シソーラス用語： チャネル長 ,  伝搬遅延 ,  立上り時間 ,  時間遅れ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 転倒時間 ,  ハイブリッドCMOSFET ,  論理性能 ,  雑音余裕 ,  伝搬遅延 ,  立ち上がり時間

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノメータ ,  CMOSFET ,  論理 ,  研究