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J-GLOBAL ID：202002275133313048   整理番号：20A2238178

RF-MBE法によるScAlMgO₄基板上へのGaNエピタキシャル成長

Growth of GaN Film on ScAlMgO₄ Substrate by RF-MBE

著者 (7件)： 栢本聖也 (立命館大 理工) ,  藤井高志 (立命館大 理工) ,  藤井高志 (福田結晶研) ,  福田承生 (福田結晶研) ,  白石裕児 (福田結晶研) ,  毛利真一郎 (立命館大 理工) ,  荒木努 (立命館大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-PB1-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ScAlMgO4(以下、SAM)は、GaNとの格子ミスマッチは1.8%で、In組成が17%のInGaNとは完全に格子整合する[1]。またGaNとの熱膨張係数差も小さい。さらに最近は無転位のSAM結晶育成も可能となったことが報告され[2,3...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  高温 ,  最適化 ,  脱着 ,  超高真空 ,  薄膜 ,  インジウム ,  *ガリウム ,  *マグネシウム ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  バッファ層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： RF-MBE ,  GaN ,  エピタキシャル成長