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J-GLOBAL ID：202002275192556532   整理番号：20A0950926

ゲルマニウム-オン-絶縁体基板におけるストレスまたはとして使用されるSiN【JST・京大機械翻訳】

SiN used as a Stressor in Germanium-On-Insulator Substrate

著者 (5件)： Duangchan Sethavut (King Mongkut’s University of Technology North Bangkok,Department of Industrial Physics and Medical Instrumentation,Bangkok,Thailand) ,  Yamamoto Keisuke (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Science, Kyushu University,Fukuoka,Japan) ,  Wang Dong (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Science, Kyushu University,Fukuoka,Japan) ,  Nakashima Hiroshi (Global Innovation Center, Kyushu University,Fukuoka,Japan) ,  Baba Akiyoshi (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology,Fukuoka,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： 3DIC  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,歪んだゲルマニウム-オン-絶縁体基板(歪Ge)におけるストレッサとして窒化ケイ素を用いる利点を示すことを目的とした。Si基板は,歪んだGeの形状と位置を制御するために結合前に表面にパターン化される。SiN膜は150nm厚さのPE-CVDによりGe基板上に堆積した。2つの基板は,200°Cポストアニールによる表面活性化結合によって一緒に結合した。平坦部に対する1.16%の引張歪と,SiO_2層を用いた他の報告されたGOIよりも高いバッキング部に対する2.03%の引張歪を見出した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  窒化ケイ素 ,  パターン形成 ,  *絶縁体 ,  シリコンウエハ ,  ストレッサー ,  引張歪 ,  二層
準シソーラス用語： 表面活性化 ,  ゲルマニウム基板 ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  絶縁体 ,  ストレス ,  SiN