文献

J-GLOBAL ID：202002275228628350   整理番号：20A0432158

効率的な電磁干渉遮蔽のための導電性アルミニウムイオン強化Mxene膜【JST・京大機械翻訳】

Electrically conductive aluminum ion-reinforced MXene films for efficient electromagnetic interference shielding

著者 (7件)： Liu Zhangshuo (Beijing Key Laboratory of Advanced Functional Polymer Composites, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. [e-mail]) ,  Zhang Yu ,  Zhang Hao-Bin ,  Dai Yang ,  Liu Ji ,  Li Xiaofeng ,  Yu Zhong-Zhen
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 5  ページ： 1673-1678  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 満足な機械的強度を有する高性能で柔軟な電気伝導性材料は,電磁干渉(EMI)の遮蔽と携帯型エレクトロニクスおよびウェアラブルデバイスのための放射において重要である。顕著な金属伝導率を有する二次元遷移金属炭化物/窒化物(MXene)は,超薄EMI遮蔽膜の理想的な候補と考えられているが,それらの機械的性能の悪さは,それらの実用的な応用をしばしば妨げている。ここでは,多価アルミニウムイオンを有する隣接MXeneナノシート間の界面接着を増強することにより,顕著なEMI遮蔽性能と優れた機械的強度を有する高導電性MXeneベース膜を作製した。MXene膜の引張強さは,アルミニウムイオンの導入により28.7から83.2MPaに190%まで著しく向上し,その伝導率は265600S m-1に保持され,他の強化材による以前に報告された結果に対して優れた包括的性能を示した。39μmの小さな厚さをもつ強くて高導電性のMXene膜は,Xバンドにおいて80dB以上の最高のEMI遮蔽性能を示した。本研究は,効率的なEMI遮蔽応用のための高性能MXeneベース材料の設計と製造のための簡単で効率的な戦略を提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的強度 ,  *電磁干渉 ,  導体材料 ,  ナノシート ,  携帯型 ,  炭化物 ,  二次元 ,  引張強さ ,  *導電性 ,  窒化物 ,  電子技術 ,  補強材料
準シソーラス用語： Xバンド ,  界面接着 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電磁干渉 ,  遮蔽 ,  導電性 ,  アルミニウムイオン ,  強化 ,  MXene