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J-GLOBAL ID：202002275507916680   整理番号：20A0834586

優れた耐久性を持つSi-Ge-As-Teオボニック閾値スイッチセレクタの構成最適化とデバイス理解【JST・京大機械翻訳】

Composition Optimization and Device Understanding of Si-Ge-As-Te Ovonic Threshold Switch Selector with Excellent Endurance

著者 (15件)： Garbin D. (imec,Leuven,Belgium) ,  Pakala M. (Applied Materials Inc.,Santa Clara,CA,USA) ,  Cockburn A. (Applied Materials Inc.,Leuven,Belgium) ,  Detavernier C. (Ghent University,Belgium) ,  Delhougne R. (imec,Leuven,Belgium) ,  Goux L. (imec,Leuven,Belgium) ,  Kar G. S. (imec,Leuven,Belgium) ,  Devulder W. (imec,Leuven,Belgium) ,  Degraeve R. (imec,Leuven,Belgium) ,  Donadio G. L. (imec,Leuven,Belgium) ,  Clima S. (imec,Leuven,Belgium) ,  Opsomer K. (imec,Leuven,Belgium) ,  Fantini A. (imec,Leuven,Belgium) ,  Cellier D. (Applied Materials Inc.,Leuven,Belgium) ,  Kim W. G. (Applied Materials Inc.,Santa Clara,CA,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IEDM  ページ： 35.1.1-35.1.4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Si-Ge-As-Te材料系に基づくOvonic Thresholdスイッチ(OTS)セレクタ素子の組成空間を調べた。物理蒸着(PVD)共スパッタリング能力は,結晶化温度TX>450°Cを増加させるために,As/Te比,GeおよびSi含有量の調整を可能にした。ab initio計算により導き,300mmウエハ上に作製した65nmデバイスにおいて10~11サイクル以上の安定な耐久特性を達成した。最後に,閾値電圧(VTH)の統計的分布を予測できるスイッチングモデルを提案し,V_THドリフトと時間依存不安定性を説明した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 晶出温度 ,  選別器 ,  *最適化 ,  スイッチング ,  *テルル ,  時間依存性 ,  物理蒸着 ,  耐久性 ,  *ゲルマニウム ,  *ヒ素 ,  不安定性 ,  ドリフト
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  300mmウエハ ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  Te ,  閾値 ,  セレクタ ,  最適化 ,  理解