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J-GLOBAL ID：202002275655780878   整理番号：20A0219020

サブ5nmのための円筒状GAA NWMBCFETの比較とシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Comparison and Simulation study of Cylindrical GAA NWMBCFET for sub 5 nm

著者 (2件)： Kumar S. Ashok (Kalasalingam Academy of Research and Education,Research Scholar Department of ECE,India) ,  Pravin J. Charles (Kalasalingam Academy of Research and Education,Research Scholar Department of ECE,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CAS  ページ： 89-92  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,円筒GAA NWFET(ナノワイヤ電界効果トランジスタ周辺のゲート)を,TCAD(技術計算機支援設計)シミュレーションツールを用いて,サブ5nmデバイス用の円筒GAA NWMBCFET(ナノワイヤマルチブリッジチャネル電界効果トランジスタ周辺のゲート)と比較した。4つの薄いチャネルは,垂直と水平のスタッキングの間の等しい距離を持つ1つのチャンネルの代わりに,GAA NWMBCFETにおいて作り出した。デバイス性能を,結合ドリフト拡散(DD)法とShockley-Read-Hall再結合法(SRH)を用いて数値的に評価した。GAA NWFET(Lg=35nm)及びGAA NWMBCFET(Lg=5nm),GAA NWFET(Lg=5nm)及びGAA NWMBCFET(Lg=5nm)の比較移動及び出力特性を報告した。デバイスにおけるマルチブリッジチャネルの包含は,Ultra-Thin Body(UTB)のために,その電流駆動を増加させた。GAA構造は短いチャネル効果に対して良好な免疫性を有し,電気安定性を維持することが報告されている。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 円筒 ,  *シミュレーション ,  FET【トランジスタ】 ,  CAD【計算機】 ,  再結合 ,  チャネル
準シソーラス用語： 電流駆動 ,  出力特性 ,  ドリフト拡散 ,  シミュレーションツール ,  TCAD ,  ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： システム・制御理論一般  (IA02010H) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブ ,  シミュレーション ,  研究