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J-GLOBAL ID：202002275885371992   整理番号：20A1049168

On-terraceグラフォエピタキシによるC8-BTBTナノワイヤの異方成長制御

著者 (3件)： 廣芝伸哉 (舞鶴工高専) ,  早川竜馬 (物質・材料研究機構) ,  若山裕 (物質・材料研究機構)
資料名： Molecular Electronics and Bioelectronics  (Molecular Electronics and Bioelectronics)
巻： 31  号： 2  ページ： 109-114  発行年： 2020年05月18日 
JST資料番号： L3415A  ISSN： 2423-8805  CODEN： MOEBFM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ライン&スペース(LS)パターン上のterrace上のグラフォエピタキシプロセスを研究。<br/>・Ehrlich-Schw?bel障壁(ESB)が駆動原理であるon-terraceグラフォエピタキシをC8-BTBTナノワイヤの成長で実証。<br/>・SiO₂とC8-BTBTの両方が存在する2種類のステップ端におけるESBがC8-BTBTナノワイヤの1次元成長を誘導し,先端と側端部での優先的な核形成を含むナノワイヤの成長を議論。

シソーラス用語： エピタクシー ,  表面テラス ,  *ナノワイヤ ,  芳香族縮合化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  真空蒸着 ,  薄膜成長 ,  有機半導体 ,  リケッチア科 ,  Ehrlichia canis ,  *ベンゾチオフェン誘導体 ,  微生物
準シソーラス用語： *グラフォエピタクシー

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： C₈-BTBT

引用文献 (16件)：

• Y. Zhang, H. Dong, Q. Tang, S. Ferdous, F. Liu, S. C. B. Mannsfeld, W. Hu, A. L. Briseno, J. Am. Chem. Soc. 132 (2010) 11580.
• C. Zhang, C.-L. Zou, Y. Yan, R. Hao, F.-W. Sun, Z.-F. Han, Y. S. Zhao, J. Yao, J. Am. Chem. Soc. 133 (2011) 7276.
• A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, C. Reese, J. M. Hancock, Y. Xiong, S. A. Jenekhe, Z. Bao, Y. Xia, Nano Lett. 7 (2007) 2847.
• Y. Wakayama, N. Hiroshiba, R. Hayakawa, T. Chikyow, K. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 06FA01.
• S. Ikeda, K. Saiki, K. Tsutsui, T. Edura, Y. Wada, H. Miyazoe, K. Terashima, K. Inaba, T. Mitsunaga, T. Shimada, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 251905.

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフォエピタキシ ,  ナノワイヤ ,  成長制御