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J-GLOBAL ID：202002275922855111   整理番号：20A0647372

サブ10V SiC CMOS応用のためのSiC(LOCSIC)絶縁構造の局所的酸化と劣化したゲート酸化物を持つ良く動作する4H-SiC pMOSFET【JST・京大機械翻訳】

Well-behaved 4H-SiC PMOSFET with LOCal oxidation of SiC (LOCOSiC) isolation structure and compromised gate oxide for Sub-10V SiC CMOS application

著者 (2件)： Hung Chia-Lung (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu, Taiwan, R.O.C) ,  Tsui Bing-Yue (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu, Taiwan, R.O.C)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 166  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCデバイスは,その広いエネルギーバンドギャップと高い熱伝導率のために,高温応用に適している。最近,いくつかのSiC CMOSFET ICが報告されている。しかし,より少ない文献は,SiC PMOSFETの特性を扱っている。本研究では,SiC(LOCOSiC)絶縁構造の局所酸化とサブ10V動作を標的とする異なるゲート酸化プロセスを有するPMOSFETを作製した。適切なしきい値電圧(-5.58V),低いサブ閾値スイング(200mV/10年),許容可能な正孔移動度(3cm~2/V-sec),低オフ状態電流(-10Vで<1×10~-12A/μm)をもつ良好に動作したPMOSFETが達成された。素子特性の温度依存性を調べた。これらの結果は,高性能CMOSの実装を大きく進歩させる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *CMOS ,  *酸化 ,  *炭化ケイ素 ,  温度依存性 ,  *酸化物 ,  半導体 ,  高温 ,  FET【トランジスタ】 ,  熱伝導率 ,  電流
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  オフ状態 ,  閾値電圧 ,  *pMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化ケイ素 ,  金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ ,  ゲート酸化物 ,  免震

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： サブ ,  SiC ,  CMOS ,  応用 ,  絶縁 ,  酸化 ,  ゲート酸化物 ,  4H-SiC ,  pMOSFET