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J-GLOBAL ID:202002276278300224   整理番号:20A1192110

二セレン化タングステンナノチューブの合成と両極性トランジスタ特性【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and ambipolar transistor properties of tungsten diselenide nanotubes
著者 (5件):
資料名:
巻: 116  号: 20  ページ: 203106-203106-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近,遷移金属ジカルコゲナイドシートを圧延することにより作製された無機ナノチューブの電気的性質が注目されている。種々の金属とカルコゲン原子を有する種々のタイプの無機ナノチューブがあり,種々の電気的性質を提供することができる。しかしながら,電気的性質が明らかにされた無機ナノチューブは,ほとんどWS_2ナノチューブに限られていた。ここでは,別のタイプの無機ナノチューブ,すなわち,WSe_2ナノチューブの電気的性質を調べ,容易な合成法の開発により,それらの両極性トランジスタ特性を明らかにした。WSE_2ナノチューブを溶液合成酸化タングステンナノワイヤのセレン化によって合成した。セレン化中のH_2の比濃度の導入は,比較的小さい直径のWSe_2ナノチューブを得るために重要であることを見出した。得られたWSe_2ナノチューブは,WS_2ナノチューブより高い性能を有する両極性トランジスタ操作を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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