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J-GLOBAL ID：202002276466976934   整理番号：20A2071086

ヒ化インジウムナノアイランドで修飾した高性能広帯域二硫化タングステン光検出器【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Broadband Tungsten Disulfide Photodetector Decorated with Indium Arsenide Nanoislands

著者 (12件)： Yang Yuekun (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Yang Yuekun (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Liu Guanyu (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Liu Guanyu (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Li Panlin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Li Panlin (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhang Miao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Wang Jianlu (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Hu Weida (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Xue Zhongying (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Di Zengfeng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Di Zengfeng (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 17  ページ： e2000297  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的な遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)としての2D二硫化タングステン(WS_2)は,光検出において強い研究関心を喚起した。しかし,限られた検出波長範囲と低い光応答性は,その更なる応用を妨げる。オプトエレクトロニクス分野におけるWS_2の応用を促進するために,インジウムアルセニド(InAs)ナノアイランド修飾WS_2を用いて,光検出器を作製した。光励起効果および局在表面プラズモン共鳴(LSPR)により,WS_2とInAsナノアイランドとのカップリングにより,光電流応答(≒1mA W-1)の顕著な増強が得られた。さらに,InAsナノアイランドのIR領域における効率的な光吸収により1060nmまでの拡張検出波長を実現した。周囲温度における高性能,安定性,および信頼性は,InAsナノアイランド/WS_2ヘテロ構造が,将来,TMDsベースの広帯域光電子デバイスのための有望な材料と考えることができることを強く示している。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光吸収 ,  *光検出器 ,  光ポンピング ,  信頼性 ,  波長 ,  *ヒ化インジウム ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  *光検出 ,  *広帯域 ,  MBE成長
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *ナノアイランド ,  局在表面プラズモン共鳴 ,  *二硫化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヒ化インジウム ,  分子ビームエピタクシー ,  ナノアイランド ,  光検出器 ,  二硫化タングステン

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： ヒ化インジウム ,  ナノアイランド ,  修飾 ,  高性能 ,  広帯域 ,  硫化タングステン ,  光検出器