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J-GLOBAL ID：202002276537866169   整理番号：20A0328212

紙基板上の高性能超低漏れ電流グラフェンベーススクリーン印刷電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-performance ultra-low leakage current graphene-based screen-printed field-effect transistor on paper substrate

著者 (3件)： Bhatt Kapil (RF & Flexible Microelectronic Research Laboratory, University Institute of Engineering & Technology, Kurukshetra University, Kurukshetra, India) ,  Kumar Sandeep (RF & Flexible Microelectronic Research Laboratory, University Institute of Engineering & Technology, Kurukshetra University, Kurukshetra, India) ,  Tripathi C C (RF & Flexible Microelectronic Research Laboratory, University Institute of Engineering & Technology, Kurukshetra University, Kurukshetra, India)
資料名： Pramana  (Pramana)
巻： 94  号： 1  ページ： 31  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0236B  ISSN： 0304-4289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複雑な作製プロセスにおける付加的パターン形成プロセスの利点を利用して,スクリーン印刷法を用いた電界効果トランジスタ(FET)の作製について報告した。チャネルおよび誘電体層としてのグラフェン導電性複合誘電体インクを,それぞれ,セルロース紙基板上にスクリーン印刷した。作製した素子は,[数式:原文を参照]25nAの超低漏れ電流で,それぞれ135[数式:原文を参照]Vsと98[数式:原文を参照]Vsの正孔と電子移動度を示した。提案した技術は,温度やIRセンサ,健康監視装置などの使い捨てFETベースのセンサの大規模なロールからロールへの商業的製造に使用できる。Copyright Indian Academy of Sciences 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  複合誘電体 ,  導電性 ,  センサ ,  誘電体 ,  *漏れ電流 ,  *グラフェン ,  チャネル ,  正孔 ,  インク ,  *FET【トランジスタ】 ,  *スクリーン印刷
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  剪断波速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン電界効果トランジスタ ,  ゲート漏れ電流 ,  スクリーン印刷 ,  モビリティ

分類 (1件)： プラズマ中の電磁波  (BJ02032F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 紙 ,  高性能 ,  漏れ電流 ,  グラフェン ,  スクリーン印刷 ,  電界効果トランジスタ