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J-GLOBAL ID：202002277033473661   整理番号：20A2651100

水素化脱硫条件下でのドーピングNi_2P表面上の水素活性化へのDFT洞察【JST・京大機械翻訳】

DFT insights into hydrogen activation on the doping Ni₂P surfaces under the hydrodesulfurization condition

著者 (9件)： Wang Gang (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China) ,  Shi Yu (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China) ,  Mei Jinlin (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China) ,  Xiao Chengkun (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China) ,  Hu Di (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China) ,  Chi Kebin (Petrochemical Research Institute, PetroChina Company Limited, Beijing 102206, PR China) ,  Gao Shanbin (Petrochemical Research Institute, PetroChina Company Limited, Beijing 102206, PR China) ,  Duan Aijun (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China) ,  Zheng Peng (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum-Beijing, Beijing 102249, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 538  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるNi_2P表面上の水素活性化を,密度汎関数理論(DFT)計算を用いた従来の水素化脱硫条件下で調べた。最初に,H_2解離吸着状態図を計算し,Ni(I)およびNi(II)曝露表面と比較した。Ni(I)曝露表面上のH_2解離吸着は4H_2被覆率以下で高い活性を有し,Ni(II)曝露表面上のH_2解離吸着は2H_2被覆率以下で好ましい。対照的に,Ni(I)曝露表面はNi(II)曝露表面よりも高いH_2活性化活性を示した。さらに,Ni(II)曝露表面上の解離性H原子は表面Ni原子の再配列をもたらし,準四面体配位構造を形成し,それはNi(I)曝露表面のそれと似ていた。第2に,異なる遷移金属(Cr,Fe,Co,CuまたはMo)ドーピングNi(I)曝露表面について,表面相図を議論した。その結果,H_2活性化能力は,Fe>Co>Mo>Cr>Ni>Cuの順であった。さらに,差電荷密度と不良電荷分析を計算し,この現象を明確に理解するための追加情報を提供し,その結果,遷移金属原子とH原子間の電荷移動の困難さ配列が上記の研究と完全に一致することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 状態図 ,  遷移金属 ,  電荷 ,  電荷移動 ,  表面構造 ,  *水素 ,  *ニッケル ,  *水素化脱硫 ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  解離吸着
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  配位構造 ,  水素原子 ,  再配列 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  Ni_2P活性相 ,  表面構造図 ,  H_2活性化 ,  金属ドーピング

分類 (2件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化脱硫 ,  ドーピング ,  水素 ,  活性化 ,  DFT ,  洞察