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J-GLOBAL ID：202002277120966955   整理番号：20A1411551

ナノVO_2(M)の相転移特性に及ぼす微小欠陥と粒径の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of microdefects and grain size on the phase transition properties of Nano-VO₂(M)

著者 (10件)： Liu Dewei (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Yang Peng (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Zhang Yingyu (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Chen Yao (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Dai Haiyang (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Li Tao (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Xue Renzhong (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Chen Jing (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Su Yuling (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Chen Zhenping (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 288  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VO_2(B)ナノ粒子をアニーリングしてナノVO_2(M)試料を合成した。ナノVO_2(M)試料の内部欠陥を陽電子消滅分光法で特性評価し,相転移特性に及ぼす微小欠陥と粒径の影響を研究した。結果は,575°Cが純相VO_2(M)を調製するための臨界温度であり,試料のモルフォロジーはアニーリング温度の増加と共にナノロッドからナノスフェアへと徐々に進展することを示した。アニーリング温度を575°Cから675°Cに上げると,ナノスフェアの粒径は徐々に増加し,一方,ミクロ欠陥の濃度とサイズは結晶性の改善と共に減少した。ミクロ欠陥と粒径の両方がナノVO_2(M)試料の相転移温度に逆の影響を及ぼすことが分かった。結晶粒径は,より高い温度で焼なました試料の競合において主要な役割を果たし,半導体-金属転移温度を低下させる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *相転移 ,  転移温度 ,  半導体 ,  臨界温度 ,  粒径 ,  結晶度 ,  キャラクタリゼーション ,  結晶粒径 ,  モルフォロジー ,  ナノ粒子 ,  ナノロッド
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  陽電子消滅分光法 ,  ナノスフェア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノVO_2(M) ,  アニーリング温度 ,  微小欠陥 ,  相変化特性 ,  陽電子消滅寿命分光法

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 相転移 ,  微小 ,  欠陥 ,  粒径