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J-GLOBAL ID：202002277146884941   整理番号：20A0062847

水分解のためのポリアニリン-ZnS-ZnO光電極の光腐食【JST・京大機械翻訳】

Photocorrosion of polyaniline-ZnS-ZnO photoelectrode for water splitting

著者 (3件)： Kim Hyun (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology, 61 Daehak-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 39177, Republic of Korea) ,  Oh Myung-Hoon (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology, 61 Daehak-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 39177, Republic of Korea) ,  Yang Bee Lyong (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology, 61 Daehak-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 39177, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 693  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水分解のためのポリアニリン被覆ZnS膜/ZnOナノロッド(NR)の光電極をそれらの光腐食挙動について評価した。それらの微細構造転移と光触媒特性を,光照射によるサイクリックボルタンメトリーを用いて系統的に調べた。20サイクル試験後のポリアニリン(PANI)被覆なしの光電極において,光電流は約78%減少した。ZnO NRはほとんど完全に光腐食した。一方,PANI被覆光電極は光電流の減少を示さず,ZnS/ZnO構造の光腐食を示さなかった。従って,PANI層は光腐食防止効果を有することが確認できた。この効果は,水分解の酸化還元電位に対する各構成材料の自己酸化還元電位レベルとバンド配列により説明できる。光触媒における光励起電子と正孔の蓄積を防ぐことが重要であることを報告した。PANI被覆ZnS/ZnO構造は,この蓄積を防ぐために十分なバンドアラインメントを有すると思われる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硫化亜鉛 ,  酸化還元電位 ,  光ポンピング ,  防食 ,  *ポリアニリン ,  光照射 ,  構造相転移 ,  *光電極 ,  被覆 ,  光電流 ,  光触媒 ,  正孔 ,  *酸化亜鉛 ,  *腐食 ,  サイクリックボルタンメトリー

著者キーワード (6件)： 光腐食 ,  自己酸化 ,  微細構造転移 ,  ポリアニリン ,  硫化亜鉛 ,  酸化亜鉛

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水分解 ,  ポリアニリン ,  ZnS ,  ZnO ,  光電極 ,  腐食