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J-GLOBAL ID：202002277320604190   整理番号：20A0427209

LDPC符号化に基づくSTT-MRAM誤り訂正技術【JST・京大機械翻訳】

STT-MRAM error correction technology based on LDPC coding

著者 (3件)： Zhang Xue (School of Internet of Things Engineering, Jiangnan University, No. 1800 Lihu Avenue, Wuxi 214122, China) ,  Liu Jianbin (Jiangsu Key Construction Laboratory of IoT Application Technology, Wuxi Taihu University, Wuxi 214064, China) ,  Jiang Yanfeng (School of Internet of Things Engineering, Jiangnan University, No. 1800 Lihu Avenue, Wuxi 214122, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 015205-015205-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(ST-MRAM)は,非揮発性,低消費電力,および高書込み/読出し速度の特性を有する潜在的応用を示す。ST-MRAMプロセスの成熟とともに,それは徐々に大量生産段階に入った。信頼性はこの装置の開発を制限する重要な因子である。誤り訂正技術はこの特定メモリ回路上で開発される必要がある。本論文において,低密度パリティ検査(LDPC)の組合せを,STT-MRAMに関して用いて,そこで,符号化は,4-格子チェックマトリックスを構築しなかった。その実現において,復号化された方法はソフトな決定と困難な決定を結合する。シミュレーション結果は,LDPCが,特に大容量ストレージアレイに対して,ST-MRAM誤差補正のための有望な応用シナリオを示すことを実証した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  非揮発性 ,  大量生産 ,  磁気 ,  誤り訂正 ,  信頼性 ,  *復号化
準シソーラス用語： 大容量記憶装置 ,  *LDPC ,  読出し ,  低電力化 ,  ReRAM ,  スピン移動 ,  *LDPC符号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： プラズマ診断  (BJ02090L) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (3件)： LDPC符号 ,  STT-MRAM ,  誤り訂正