文献

J-GLOBAL ID：202002277462041913   整理番号：20A0503886

大きな垂直磁気異方性を持つエピタキシャル成長Cu_2Sb型MnGaGe膜【JST・京大機械翻訳】

Epitaxially grown Cu₂Sb-type MnGaGe films with large perpendicular magnetic anisotropy

著者 (7件)： Sun Mingling (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kubota Takahide (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ito Keita (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takahashi Shigeki (Samsung R&D Institute Japan, Yokohama 230-0027, Japan) ,  Hirayama Yoshiyuki (Samsung R&D Institute Japan, Yokohama 230-0027, Japan) ,  Sonobe Yoshiaki (Samsung R&D Institute Japan, Yokohama 230-0027, Japan) ,  Takanashi Koki (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 6  ページ： 062402-062402-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直磁化膜はスピン移動トルク型磁気抵抗ランダムアクセスメモリ,ST-MRAM,および大きな垂直異方性エネルギーのようなスピントロニクス応用にとって本質的に重要であり,飽和磁化の小さいK_uは,STT誘起磁化スイッチング現象に対する臨界電流を低減するために必要である。本研究では,等原子間化合物MnGaGeをエピタキシャル成長膜試料で調べた。300Kで約260emu/cm3のM_s値をもつ垂直磁化膜をMgO(100)単結晶基板上に作製した。K_uの最大値は室温で8.1×10~6erg/cm3であった。走査型透過型電子顕微鏡を用いた微細構造解析は,膜試料中のCu_2Sb型結晶構造を原子的に明らかにした。第一原理計算も行い,電子構造を議論した。3d軌道に対する射影状態密度の解析を用いて,3d軌道の混成が磁気結晶異方性を促進する可能な因子として示唆された。大きなK_uと比較的小さいM_sを有するMnGaGe膜は,スピントロニクス応用のために潜在的に使用されるであろう。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  *垂直磁気異方性 ,  電子構造 ,  スピントロニクス ,  垂直磁化 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査 ,  射影 ,  状態密度 ,  臨界電流 ,  結晶 ,  結晶構造 ,  *エピタクシー ,  酸化マグネシウム ,  飽和磁化

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 垂直磁気異方性 ,  エピタキシャル成長