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J-GLOBAL ID:202002277607959130   整理番号:20A2562666

多孔質シリコン上のエルビウムフタロシアニン:光検出器としての可能な応用のための形態学的,光学的,電気的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Erbium phthalocyanine on porous silicon: Morphological, optical, and electrical characterization, for its possible application as a photodetector
著者 (5件):
資料名:
巻: 315  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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有機半導体は,主に無機半導体(シリコン)で,他の材料と組み合わせた電気的性質と柔軟性により,最近多くの注目を集めている。本研究では,多孔質シリコン(PS)と結晶シリコン(c-Si)上のエルビウムフタロシアニン(ErPc)に基づくヘテロ構造を作製した。ErPcを太陽反応法で合成し,昇華によりPSとc-Si基板上に堆積させた。金属支援化学エッチングを用いてPSを得た。これらのヘテロ構造の形態学的,光学的および電気的性質を特性化し,それらの挙動を研究し,それらのオプトエレクトロニクス応用を提案した。ErPc膜のモルフォロジーは,基板に依存して構造的差異をもたらした。シリコン基板の場合,マイクロロッド構造のみを均一に分布し,多孔質シリコン層上に,FE-SEMキャラクタリゼーションに従ってナノ粒子とナノチューブの組合せを得た。エルビウムフタロシアニンの拡散反射スペクトルは最低の反射率を示し,これは反射率から損失を低減するためのオプトエレクトロニクス応用の重要なパラメータである。吸収スペクトルはErPc錯体の存在を同定した3つの主なバンドを示した。ヘテロ構造はI-V曲線において整流とオーム挙動を示した。さらに,光電流効果が観測されたが,高電圧でのみ観察された。最後に,ヘテロ接合から得られた電流-時間曲線は,1Vの逆バイアスを有する白色光パルスに対して明確な応答を示した。有機と無機半導体の組合せは,オプトエレクトロニクスにおける応用の新しい機会を開く。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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光導電素子  ,  ロボットの設計・製造・構造要素  ,  測光と光検出器一般 
物質索引 (1件):
物質索引
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