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J-GLOBAL ID:202002277722577138   整理番号:20A0433259

炭化ケイ素デバイスのためのインテリジェント汎用モデルベース軌道最適化アクティブゲートドライバ【JST・京大機械翻訳】

An Intelligent Versatile Model-Based Trajectory-Optimized Active Gate Driver for Silicon Carbide Devices
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 429-441  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2402A  ISSN: 2168-6777  CODEN: IJESN2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを用いることは,パワーエレクトロニクスシステムの効率を潜在的に改善することができるが,高速スイッチング速度のために,厳しい電磁干渉(EMI)問題も導入することができる。従来のゲートドライバは,SiCのスイッチング速度を動的に調整する柔軟性を提供できない。この問題に対処するために,電力デバイスのための最適化されたスイッチング軌道を達成するために,知的な汎用アクティブゲートドライバ(AGD)を提案した。提案したAGDは,5つの動作モード,すなわち,より速い/正常/遅いターンオンプロセスとより遅い/通常のターンオフプロセスを持っている。複数の動作モードの利用可能性は,スイッチング性能を改善するための余分な自由度を提供し,様々なシステムにわたって汎用性がある。提案したAGDは,SiCパワーデバイスのスイッチング速度の微調整を可能にする他のAGDよりも,より多くのスイッチング速度調整分解能を提供することができる。さらに,新しいモデルベースの軌道最適化戦略を提案し,スイッチングエネルギー損失に対するEMI雑音を取引することにより,最適ゲートドライバ出力電圧を決定した。マルチレベルAGDの機能性を実験結果で検証した。製品の商業化目的に対するハードウェア設計の考慮も与えた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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電力変換器 
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