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J-GLOBAL ID：202002277771097994   整理番号：20A0480225

GaN HEMT広帯域電力増幅器のレビュー【JST・京大機械翻訳】

A review of GaN HEMT broadband power amplifiers

著者 (2件)： Husna Hamza K. (Department of Electronics and Communication Engineering, Karunya Institute of Technology and Sciences, Coimbatore, India) ,  Nirmal D. (Department of Electronics and Communication Engineering, Karunya Institute of Technology and Sciences, Coimbatore, India)
資料名： AEUe  (AEUe)
巻： 116  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0447A  ISSN： 1434-8411  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNのユニークな材料特性,広いバンドギャップ,高い熱伝導率,高い絶縁破壊電圧,高い電子移動度およびGaN HEMTの素子特性(高Electron移動度トランジスタ),低い寄生容量,低い抵抗および高いカットオフ周波数は,電力増幅器における使用の良い選択である。高いピーク対平均電力比を有する複雑な変調方式を有するワイヤレス通信のこの時代の間,電力増幅器の効率性と線形性を維持することは,強靭な作業である。本論文では,GaN HEMTベースの電力増幅器の広範なレビューを示した。まず,GaN技術を述べ,他の半導体技術と比較した。GaNによるクラスB,C,D,E,FおよびJのような異なるクラスの電力増幅器を検討した。高いPAPR波形を持つ応用に用いられるエンベロープ追跡,Doherty電力増幅器およびディジタル予歪のような効率および線形性増強技術について述べた。GaN MMIC(マイクロ波単結晶集積回路)の利点をレビューした。最後に,自己加熱現象に対処するために,GaN電力増幅器に使用される異なる熱管理ソリューションを説明した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  単結晶 ,  熱伝導率 ,  マイクロ波 ,  予歪 ,  バンドギャップ ,  エンベロープ ,  集積回路 ,  *窒化ガリウム ,  熱管理 ,  無線伝送 ,  移動度 ,  *広帯域 ,  漂遊容量 ,  *HEMT

著者キーワード (4件)： HEMT ,  Doherty ,  エンベロープ追跡電力増幅器 ,  電力付加効率

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  HEMT ,  広帯域 ,  電力増幅器 ,  レビュー