文献

J-GLOBAL ID：202002277796639790   整理番号：20A1174032

エピタキシャル歪Hf_0.5Zr_0.5O_2薄膜における菱面体晶強誘電相【JST・京大機械翻訳】

A rhombohedral ferroelectric phase in epitaxially strained Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films

著者 (15件)： Wei Yingfen (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Nukala Pavan (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Nukala Pavan (Laboratoire Structures, Proprietes et Modelisation des Solides, CentraleSupelec, CNRS-UMR8580, Universite Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France) ,  Salverda Mart (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Matzen Sylvia (Center for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS-UMR 9001, Universite Paris-Saclay, Palaiseau, France) ,  Zhao Hong Jian (Materials Research and Technology Department, Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST), Esch/Alzette, Luxembourg) ,  Momand Jamo (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Everhardt Arnoud S. (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Agnus Guillaume (Center for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS-UMR 9001, Universite Paris-Saclay, Palaiseau, France) ,  Blake Graeme R. (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Lecoeur Philippe (Center for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS-UMR 9001, Universite Paris-Saclay, Palaiseau, France) ,  Kooi Bart J. (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands) ,  Iniguez Jorge (Materials Research and Technology Department, Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST), Esch/Alzette, Luxembourg) ,  Dkhil Brahim (Laboratoire Structures, Proprietes et Modelisation des Solides, CentraleSupelec, CNRS-UMR8580, Universite Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France) ,  Noheda Beatriz (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, the Netherlands)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 17  号： 12  ページ： 1095-1100  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： hafニアベース薄膜は,次世代メモリと論理素子へのナノスケールでのロバスト強誘電性の集積のための好ましい候補である。これは,それらの強誘電分極がサイズが減少するにつれてより強固になり,その機構がまだ理解されていない一種の強誘電性を露出させているからである。したがって,結晶品質の向上した薄膜が必要である。(001)配向La_0.7Sr_0.3MnO_3/SrTiO_3基板上のHf_0.5Zr_0.5O_2薄膜のエピタキシャル成長を報告した。エピタキシャル圧縮歪と主に(111)配向の下にある膜は34μCcm-2までの大きな強誘電分極値を示し,覚醒サイクルを必要としない。構造キャラクタリゼーションにより,一般的に報告されている極性斜方晶相とは異なる菱面体晶相が明らかになった。この発見は,密度汎関数理論計算と併せて,強誘電相の形成のためのコンパクトなモデルを提案することを可能にする。さらに,これらの結果は,ナノスケール強誘電体の広く研究されていないクラスとして,簡単な酸化物の薄膜に向かうことを指摘した。強誘電hafニアは,強誘電性を誘起するための覚醒サイクルを必要とする薄膜斜方晶相においてのみ起こる。ここでは,歪下で薄膜Hf_0.5Zr_0.5O_2を成長させることにより,極性菱面体晶相を達成し,それはサイクルを必要としない。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Limited 2018 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  記憶装置 ,  強誘電体 ,  *薄膜 ,  酸化物 ,  強誘電性 ,  斜方晶系 ,  *三方晶系 ,  覚醒 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  結晶品質 ,  ナノスケール ,  強誘電分極 ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  歪 ,  薄膜 ,  菱面体晶