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J-GLOBAL ID：202002278057734440   整理番号：20A2016624

KCoO_2型層状窒化物Ca_1-xSr_xTiN_2の構造歪と誘電率【JST・京大機械翻訳】

Structural Distortion and Dielectric Permittivities of KCoO₂-Type Layered Nitrides Ca_1-xSr_xTiN₂

著者 (11件)： Lu Shenglin (MOE Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metals and Materials, Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Wang Yanhui (MOE Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metals and Materials, Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Lu Fengqi (MOE Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metals and Materials, Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Feng Jie (MOE Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metals and Materials, Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Lin Kun (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering and Institute of Solid-State Chemistry, University of Science and Technology Beijing, P. R. China) ,  Xu Diming (Inorganic Chemistry Laboratory, Oxford University, U.K.) ,  Avdeev Maxim (Australian Nuclear Science and Technology Organisation, NSW, Australia) ,  Liu Laijun (MOE Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metals and Materials, Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Kuang Xiaojun (MOE Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metals and Materials, Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Kuang Xiaojun (College of Chemistry and Bioengineering, Guilin University of Technology, P. R. China) ,  Xing Xianran (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering and Institute of Solid-State Chemistry, University of Science and Technology Beijing, P. R. China)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 59  号： 14  ページ： 9693-9698  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KCoO_2型相の中で,斜方晶層状窒化物CaTiN_2は,新たに報告された高誘電率材料(80から450Kで104~106Hz内でε_r~1300~2500)であり,一方,正方晶SrTiN_2は,非意図的な金属伝導特性を示すことが報告されている。本研究では,Ca_1-xSr_xTiN_2固溶体を合成し,絶縁性SrTiN_2エンドメンバーといくつかのSrドープCaTiN_2試料を成功裏に得て,従ってCa_1-xSr_xTiN_2固溶体の誘電特性を調べた。CaのSr置換はCa_1-xSr_xTiN_2の斜方晶から正方晶への相変態を駆動し,誘電率を著しく低下させた。正方晶SrTiN_2は,CaTiN_2よりも非常に低い誘電率(105~106Hzと100~300Kでε_r~2070)を示した。CaTiN_2とSrTiN_2の誘電率と構造の比較は,TiN_2ピラミッド層内のTi層間のN面の分裂から生じる構造歪みがCaTiN_2の高いバルク誘電率の妥当な構造起源であることを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固溶体 ,  *誘電率 ,  *カルシウム ,  *ストロンチウム ,  *窒化物 ,  誘電性 ,  ドーピング ,  斜方晶系 ,  正方晶系 ,  角錐
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  高誘電率材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 層状 ,  窒化物 ,  誘電率