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J-GLOBAL ID：202002278277718373   整理番号：20A2093243

Siスポンジ状構造の共鳴トンネル電界放出【JST・京大機械翻訳】

Resonant tunneling field emission of Si sponge-like structures

著者 (7件)： Semenenko Mykola (V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Antonin Serhii (V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Redko Roman (V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Romanuyk Yuriy (V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Hladkovska Alexandra V. (Institute for Nuclear Research of NAS of Ukraine, 47 Prospect Nauky, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Solntsev Viacheslav (V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Evtukh Anatoliy (V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 11  ページ： 114302-114302-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Siスポンジ状構造に基づく共鳴トンネルシステムからの電子電界放出を研究した。ガルバニ陽極酸化法を用いた平坦なSiウエハの電気化学的エッチングの間に,Siスポンジ状構造が形成された。各非モノリスSiワイヤは,1から1.2nmのサイズのSi粒子と1.3から1.4nmのサイズのSi粒子を含む。最小のエッチング電流は,より均一な構造の生成をもたらすガルバニ陽極酸化法によって実現することができた。得られた構造は,電界放出プロセスにおける電流流中に再現性のある共鳴ピークを得ることを可能にした。ピークの起源は多重障壁構造による電子の共鳴トンネル機構に起因した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  *共鳴 ,  *電界放出 ,  電流 ,  *ケイ素 ,  陽極酸化処理 ,  再現性 ,  多重化 ,  電気化学 ,  金属線
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  モノリス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  スポンジ ,  共鳴 ,  トンネル ,  電界放出