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J-GLOBAL ID:202002278308200755   整理番号:20A0569858

化学蒸着プロセスにおける窒素ドーピングによる自立三次元グラフェンの電気化学的活性への転換【JST・京大機械翻訳】

Turning free-standing three-dimensional graphene into electrochemically active by nitrogen doping during chemical vapor deposition process
著者 (5件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 3759-3768  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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窒素源としてアンモニアを用いたナノメータサイズの銅ナノ粉末焼結テンプレート上への化学蒸着により,マクロ-メソ-ミクロ階層的多孔質構造を有する自立N-ドープ三次元グラフェン(N3DG)を調製した。N3DG中の窒素含有基の存在は不活性グラフェンを電気化学的に活性に変えた。メタンとアンモニアの間の流量比は,ドープされた窒素原子の化学的環境,グラフェン中の欠陥の構造,および電気化学的性能に著しく影響する。メタンとアンモニアの流量比が1:4のとき,N3DGの比静電容量は558.9Fg-1と高くなった。面積キャパシタンスは4.26Fm-2である。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 
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