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J-GLOBAL ID:202002278426537213   整理番号:20A0577723

SrドーピングによるCaCu_3Ti_4O_12セラミックの絶縁破壊電場と誘電特性の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of breakdown electric field and dielectric properties of CaCu3Ti4O12 ceramics by Sr doping
著者 (7件):
資料名:
巻: 244  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CaCu_3Ti_4O_12セラミックの絶縁破壊電界(E_b)と誘電特性を強化するために,種々のSrドーピング濃度を有するCa_1-xSr_xCu_3Ti_4O_12セラミックを,改良ゾル-ゲル法によって製造した。Ca_1-xSr_xCu_3Ti_4O_12セラミックの誘電特性はSrドーピング濃度に大きく依存し,Ca_0.5Sr_0.5Cu_3Ti_4O_12セラミックは約52.50kV/cmの高いE_b,~0.066の低誘電損失(tanδ)と1kHzと室温での高誘電率(ε_r′)を同時に示した。さらに,強化されたE_bは,結晶粒界の増加量とより高いSchottky障壁高さの両方に起因することが証明された。すべての結果は,Ca_0.5Sr_0.5Cu_3Ti_4O_12セラミックが実用化のための非常に有望な材料であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  誘電体一般 

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