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J-GLOBAL ID:202002278475562693   整理番号:20A2126621

電極触媒および光触媒CO_2還元のための(Cu,N)共ドーピングによるギ酸の欠陥エンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Defect-engineering of tin oxide via (Cu, N) co-doping for electrocatalytic and photocatalytic CO2 reduction into formate
著者 (8件):
資料名:
巻: 227  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0254A  ISSN: 0009-2509  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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貴重な化学物質または燃料へのCO_2の電極触媒および光触媒還元は,環境修復および再生可能エネルギー変換のための有力な戦略と考えられている。この分野で,SnO_2系材料は,CO_2のギ酸への変換における有望な電極触媒として広く適用されてきたが,劣った触媒効率は,まだ応用の厳しい障壁である。本研究では,CuとNの共ドーピングを有する新規なSnO_2系触媒を,CO_2のギ酸塩への効率的で高選択的な光還元のために設計した。XRD,FT-IRおよびXPS分析は,(Cu,N)がSnとOの置換によりSnO_2の格子にドープされ,その結果,酸素欠損量が27.18%から36.72%に増大することを示した。CV,LSVおよびEIS測定は,(Cu,N)ドーピングがCO_2還元のためのSnO_2系電極触媒の光電気触媒性能を劇的に改善することを証明した。(Cu,N)の共ドーピング量が7mol%のとき,ファラデー効率は最低電荷移動抵抗と最速電子移動速度で54.97%に達した。さらに,DFT計算は,CuとNの同時ドーピングが,電荷移動の加速のためのバンドギャップを狭めるために欠陥レベルをもたらし,それによって,CO_2の光還元と同様に,電解還元における性能を改善したことを明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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触媒操作  ,  反応操作(単位反応) 
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