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J-GLOBAL ID:202002278694022281   整理番号:20A1884321

ダイヤモンド垂直型Schottky障壁ダイオードにおけるキラー欠陥の抑制

Suppression of killer defects in diamond vertical-type Schottky barrier diodes
著者 (6件):
資料名:
巻: 59  号: SG  ページ: SGGD10 (4pp)  発行年: 2020年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンドSchottky障壁ダイオード(VSBD)における垂直構造は,高電流動作を実現するのに適している。しかし,性能に影響する主な障害は,高濃度Bドープp+基板から生ずると考えられるキラー欠陥の存在である。ここでは,金属支援終端と呼ばれるp+基板からエピタキシャル層への拡張欠陥を抑制するためのバッファ層を導入した。カソードルミネセンススペクトルにおけるバンド-Aルミネセンスの顕著な低下が確認され,結晶度の大きな改善を示した。VSBDは,漏れ電流が抑制された高度に均一な整流作用を示した。バッファ層を挿入すると電場強度は1.9から5.0MVcm-1に増加した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
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ダイオード 
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