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J-GLOBAL ID:202002278755636627   整理番号:20A2645140

SrTiO_3メモリスタデバイスにおける高速カチオン拡散経路を構成する逆位相境界【JST・京大機械翻訳】

Antiphase Boundaries Constitute Fast Cation Diffusion Paths in SrTiO3 Memristive Devices
著者 (22件):
資料名:
巻: 30  号: 48  ページ: e2004118  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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遷移金属酸化物系金属-絶縁体-金属構造の抵抗スイッチングは,ナノスケールの印加電場下のイオンの可逆的ドリフトに依存する。このような構造では,導電性フィラメントの形成は酸素アニオンの電場駆動移動により誘起されるが,カチオン副格子はしばしば不活性であると考えられている。スイッチングプロセスのこの簡単な機構的像は,酸素アニオンと金属カチオンがデバイス操作下で移動種として以前に同定されたので不完全である。ここでは,抵抗スイッチングモデル材料SrTiO_3で起こる拡散とドリフト過程を解明するために原子論的シミュレーションと組み合わせた分光顕微鏡技術を使用した。エピタキシャルSrTiO_3素子の導電性フィラメントは均一ではなく,複雑な微細構造を示すことを実証した。特に,フィラメントは導電性Ti3+リッチ領域と絶縁性Srリッチ島から成る。透過型電子顕微鏡は,Srリッチ島がRuddlesden-Popper型反相境界上に出現することを示した。これらの拡張欠陥の役割を分子静的および動的シミュレーションで明らかにし,Ruddlesden-Popper相境界がペロブスカイト構造中のSrカチオンの拡散高速経路を構成することを明らかにした。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電子・磁気・光学記録  ,  その他の無機化合物の電気伝導 
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