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J-GLOBAL ID：202002278788573517   整理番号：20A0454230

多孔質SiCセラミックの電気伝導率と熱伝導率に及ぼす多孔性の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of porosity on electrical and thermal conductivities of porous SiC ceramics

著者 (5件)： Kultayeva Shynar (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Republic of Korea) ,  Ha Jang-Hoon (Powder and Ceramics Division, Korea Institute of Materials Science, Changwon, Gyeongnam, 51508, Republic of Korea) ,  Malik Rohit (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Republic of Korea) ,  Kim Young-Wook (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Republic of Korea) ,  Kim Kwang Joo (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, Republic of Korea)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 40  号： 4  ページ： 996-1004  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Y_2O_3-AlN添加物を含む多孔質SiCセラミックの電気的および熱伝導率に及ぼす気孔率の影響を研究した。多孔質SiCセラミックの多孔性は,犠牲テンプレート(ポリマーマイクロビーズ)含有量(0~30wt%)と焼結温度(1800~2000°C)を調整することにより,28~64%の範囲で制御できた。多孔質SiCセラミックの電気伝導率と熱伝導率は,それぞれ7.7から1.7Ω~1cm-1と37.9から5.8W/(m K)まで減少し,気孔率が30から63%に増加した。より粗い微細構造を有する多孔質SiCセラミックは,単位体積当たりのより小さい数の結晶粒界のために,同等の気孔率でより微細な微細構造を有するセラミックのものより高い電気的および熱伝導率を示した。熱伝導率からの電気伝導率のデカップリングは,焼結温度,すなわち多孔質SiCセラミックの微細構造を調整することにより,ある程度可能であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気伝導率 ,  *セラミック ,  微細構造 ,  *熱伝導率 ,  多孔性 ,  炭化ケイ素 ,  窒化アルミニウム ,  空隙率 ,  デカップリング ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 多孔質セラミック ,  焼結温度 ,  犠牲テンプレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭化ケイ素 ,  多孔質セラミックス ,  多孔性 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミック ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  多孔性