電子ポンプ紫外源のためのAlGaN/AlN量子ドット超格子の内部量子効率【JST・京大機械翻訳】

Harikumar A; Donatini F; Bougerol C; Bellet-Amalric E; Thai Q -M; Dujardin C; Dimkou I; Purcell S T; Monroy E

文献

J-GLOBAL ID：202002279397427209 整理番号：20A2501915

電子ポンプ紫外源のためのAlGaN/AlN量子ドット超格子の内部量子効率【JST・京大機械翻訳】

Internal quantum efficiency of AlGaN/AlN quantum dot superlattices for electron-pumped ultraviolet sources

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資料名：
巻： 31 号： 50 ページ： 505205 (12pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,電子ビーム励起紫外線ランプの活性領域として応用するために,Al_xGa_1-xN/AlN(0≦x≦0.1)Stranski-Krastanov量子ドット(QD)の≒530nm厚超格子(100周期)の成長および特性評価について述べた。高密度(>1011cm-2)QD層を分子線エピタキシーにより堆積し,それらの光学性能に対する成長過程におけるIII/V比の影響を調べた。本研究は,室温で244~335nmの範囲で発光する構造を考慮し,主に自己集合成長に固有のQD直径分散により,6%~11%の範囲の相対線幅を示した。電子ポンピングの下で,発光効率は≒9kV以下の加速電圧に対して一定であった。SLの全厚さと電子ビームの侵入深さとのこの閾値の相関から,成長軸に沿ったナノ構造の均一性を確認した。閾値以下では,発光強度は注入電流と直線的にスケールした。内部量子効率(IQE)を低注入で特性化して,それは非放射過程に関する材料特性と,操作条件でのキャリア注入をエミュレートする高注入を明らかにした。III/V比<0.75で合成されたQDでは,IQEは200kWcm-2の高いポンプ出力密度への低注入から約50%のままであり,このような安定な挙動を示す最初の種類のナノ構造である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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金属薄膜 , 固体デバイス製造技術一般 , トランジスタ

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