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J-GLOBAL ID：202002279640601031   整理番号：20A1020654

ZnO薄膜とナノロッドの光学的および構造的性質に及ぼすUV-オゾン焼なましの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of UV-ozone annealing on the optical and structural properties of ZnO thin films and nanorods

著者 (5件)： Alam Md Jawaid (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Murkute Punam (Univ. Grenoble Alpes, CRNS (France)) ,  Sushama Sushama (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Ghadi Hemant (Ohio State Univ. (United States)) ,  Chakrabarti Subhananda (Indian Institute of Technology Bombay (India))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11281  ページ： 112812A-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜とナノロッドは,その大きなバンドギャップ(3.37eV)と室温(60meV)での高い励起子結合エネルギーのために,UV検出器,UVLEDおよびレーザダイオードのようなUVオプトエレクトロニクス応用に使用されている。しかし,成長したZnO膜の本来の点欠陥は,そのデバイス応用の前に抑制する必要がある。本研究では,ZnO薄膜とナノロッドの光学的性質に及ぼすUV-Ozoneアニーリングの効果に関する比較研究を行った。RFスパッタシステムを用いて薄膜を蒸着し,水熱法をナノロッド成長に用い,続いて50分間のUVOアニーリングを行った。電界放出銃走査電子顕微鏡(FEG-SEM)は高密度ナノロッドの形成を確認した。高分解能X線回折(HRXRD)の結果は,全ての試料に対して(002)結晶配向を支配的なピークとして示した。成長したままの薄膜とナノロッドの計算した結晶粒サイズは,それぞれ27nmと37nmであった。UVOアニーリング後,それはそれぞれ35と47nmに増加した。室温光ルミネセンスは薄膜とナノロッドの両方に対して近バンド発光(NBE)の増強を示した。薄膜とナノロッドの成長に比べてNBEの最大増強はそれぞれ6.6と3.6倍であることが分かった。薄膜とナノロッドのDBE積分面積比に対する最大NBEはそれぞれ0.17と0.70であった。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  *焼なまし ,  走査電子顕微鏡 ,  電界放出 ,  電子顕微鏡観察 ,  *薄膜 ,  発光 ,  半導体レーザ ,  光ルミネセンス ,  結晶方位 ,  *オゾン ,  *酸化亜鉛 ,  オプトエレクトロニクス ,  薄膜成長 ,  結晶粒径 ,  バンドギャップ ,  *ナノロッド

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO薄膜 ,  ナノロッド ,  光学 ,  構造的性質 ,  オゾン ,  焼なまし