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J-GLOBAL ID：202002279678086984   整理番号：20A1251887

タイプI PtSe_2/InSe van der Waalsヘテロ構造にロバストな積層パターン【JST・京大機械翻訳】

Stacking patterns robust to type-I PtSe₂/InSe van der Waals heterostructures

著者 (5件)： Xue Yajie (School of Physics and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan Normal University, XinXiang, 453007, Henan, China) ,  Li Xueping (College of Electronic and Electrical Engineering, Henan Normal University, Xinxiang, Henan, 453007, China) ,  Xu Dong (School of Physics and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan Normal University, XinXiang, 453007, Henan, China) ,  Zhai Baoxing (School of Physics and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan Normal University, XinXiang, 453007, Henan, China) ,  Xia Congxin (School of Physics and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan Normal University, XinXiang, 453007, Henan, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 143  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,van der Waals(vdW)ヘテロ構造の構築は,二次元(2D)材料の応用を拡張する有効な方法と考えられている。本論文では,単一層InSeとPtSe_2を選択し,PtSe_2/InSe vdWヘテロ構造を理論的に構築し,そのバンド構造と光学特性を計算し,その潜在的応用を調べた。すべての可能な積層ケースに対して,PtSe_2/InSeヘテロ構造は準直接バンド構造をもつ典型的なタイプIバンド配列を保つ。さらに,PtSe_2/InSeヘテロ構造のバンドギャップ値は,層間結合を変えることにより調整可能である。さらに,多様な積層パターン下で,PtSe_2/InSe vdWヘテロ構造は,近赤外から紫外光領域への高い光吸収強度(10~6cm-1)と広帯域スペクトルの両方を示した。これらすべての計算結果は,2D PtSe_2/InSe vdWヘテロ構造が2D材料に基づく発光素子に適用できる可能性を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  紫外線 ,  バンド構造 ,  光吸収 ,  スペクトル ,  近赤外線 ,  二次元 ,  広帯域 ,  単一層 ,  *ロバスト性 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *InSe ,  層間結合 ,  *ヘテロ構造 ,  発光素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： VDWヘテロ構造 ,  積層構成 ,  I型バンドアラインメント

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： タイプ ,  InSe ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  ロバスト